1、超高耐壓性

采用梯度AlGaN緩沖層設計和優(yōu)化的碳摻雜工藝，使垂直擊穿電壓達到158V/μm的行業(yè)領(lǐng)先水平，可穩(wěn)定支持650V-1200V高壓器件工作。在新能源汽車主驅(qū)逆變器中，采用該技術(shù)的SiC MOSFET模塊可使功率密度提升至50kW/L以上，同時將系統(tǒng)效率提高至98.5%，顯著延長電動汽車續(xù)航里程。充電樁模塊應用時，支持350kW大功率快充，充電效率提升至95%以上。

2、高電子遷移率

通過精確調(diào)控Al組分（28%-32%）和超薄勢壘層設計（12-15nm），實現(xiàn)二維電子氣濃度＞8×10¹³ cm?²，室溫遷移率突破2000 cm²/V·s。在5G基站應用中，基于該材料的功率放大器（PA）在3.5GHz頻段可實現(xiàn)＞60%的功率附加效率，輸出功率＞200W，相比傳統(tǒng)LDMOS方案功耗降低25%，有效解決毫米波通信的散熱難題。

3、低成本優(yōu)勢

創(chuàng)新采用8英寸硅基GaN-on-Si技術(shù)，通過優(yōu)化的應力控制緩沖層（厚度＜1μm），使晶圓成本較碳化硅基降低70%。在65W PD快充領(lǐng)域，該方案將BOM成本壓縮至$5以下，推動GaN快充市場滲透率突破40%。工業(yè)電源應用時，系統(tǒng)級成本下降30%的同時，功率密度提升3倍。

4、大尺寸兼容性

開發(fā)了針對8英寸硅襯底的特有翹曲控制技術(shù)（＜30μm），配合創(chuàng)新的邊緣保護工藝，實現(xiàn)＞90%的良品率。單條產(chǎn)線年產(chǎn)能超5000片，可滿足年供50萬輛電動汽車的芯片需求。最新研發(fā)的12英寸工藝樣片已通過可靠性驗證，為下一代產(chǎn)能擴展奠定基礎。




 

5、高溫穩(wěn)定性

采用新型鈍化層材料和T型柵結(jié)構(gòu)，使器件在＞200℃環(huán)境溫度下仍保持穩(wěn)定性能，開關(guān)損耗降低30%。在數(shù)據(jù)中心電源模塊中，允許工作溫度提升至105℃，功率密度達100W/in³；光伏逆變器應用時，MPPT效率＞99.5%，系統(tǒng)壽命延長至25年以上。

6、高效率特性

通過單片集成整流和降壓電路，實現(xiàn)＞95%的峰值轉(zhuǎn)換效率。在100W無線充電模組中，充電效率達92%，比傳統(tǒng)方案提升7個百分點，同時體積縮小60%。最新研發(fā)的240W快充方案，支持0-80%充電僅需15分鐘，溫升控制在＜35℃。



 

硅基氮化鎵外延片與技術(shù)關(guān)聯(lián)

1、碳化硅協(xié)同技術(shù)

技術(shù)關(guān)聯(lián)：通過創(chuàng)新性開發(fā)GaN-on-SiC復合結(jié)構(gòu)，在4H-SiC襯底上異質(zhì)外延生長高質(zhì)量GaN薄膜（厚度2-5μm）。該技術(shù)利用SiC優(yōu)異的導熱性（490W/m·K），使射頻器件的熱阻降低40%，在28GHz工作頻率下，功率密度提升至8W/mm以上。特別適用于5G毫米波基站功放模塊，可顯著改善器件在連續(xù)波模式下的熱穩(wěn)定性，結(jié)溫波動控制在±5℃以內(nèi)。

2、藍寶石基GaN延伸

技術(shù)關(guān)聯(lián)：采用圖形化藍寶石襯底（PSS）技術(shù)，在2-6英寸藍寶石上外延生長GaN器件層。通過優(yōu)化AlN成核層（厚度＜50nm）和應變調(diào)控技術(shù)，實現(xiàn)穿透位錯密度＜5×10? cm?²。該方案兼具高性價比和高性能優(yōu)勢，既可用于150W級高功率LED芯片制造（光效＞200lm/W），又能滿足Sub-6GHz射頻前端模塊需求（fT＞80GHz），成本較SiC基降低60%。

3、SOI集成方案

技術(shù)關(guān)聯(lián)：基于8英寸SOI（埋氧層厚度1μm）襯底開發(fā)GaN-on-SOI技術(shù)，通過介質(zhì)隔離將寄生電容降低至0.15pF/mm²以下。結(jié)合深槽隔離工藝，使器件截止頻率（fmax）突破180GHz，噪聲系數(shù)＜1dB@28GHz，完美適配毫米波相控陣天線應用。該技術(shù)已成功應用于77GHz車載雷達芯片，探測距離提升30%的同時，將模塊尺寸縮小50%。

知明服務
 

1. 定制化外延：支持電壓（650V-1200V）、晶向（X/Y切型）定制。

2. 精密加工：提供＜1μm線寬的干法刻蝕與激光切割服務。

3. 技術(shù)協(xié)同：聯(lián)合開發(fā)HEMT器件PDK，提供流片驗證支持。

4. 檢測認證：SEMI標準參數(shù)報告（翹曲度、缺陷密度等）。